900nm Si PIN ফটোডিওড
বৈশিষ্ট্য
- সামনের দিকে আলোকিত কাঠামো
- কম অন্ধকার স্রোত
- উচ্চ প্রতিক্রিয়া
- উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা
অ্যাপ্লিকেশন
- অপটিক্যাল ফাইবার কমিউনিকেশন, সেন্সিং এবং রেঞ্জিং
- UV থেকে NIR পর্যন্ত অপটিক্যাল সনাক্তকরণ
- দ্রুত অপটিক্যাল-পালস সনাক্তকরণ
- শিল্পের জন্য নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা
ফটোইলেকট্রিক প্যারামিটার (@Ta=25℃)
আইটেম # | প্যাকেজ বিভাগ | আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি) | বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm) |
সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | দায়বদ্ধতা (A/W) λ=900nm
| উঠতি সময় λ=900nm VR=15V RL=50Ω(এনএস) | অন্ধকার স্রোত VR=15V (nA) | জংশন ক্যাপাসিট্যান্স ভিR=15V f=1MHz (pF) | ভাঙ্গন ভোল্টেজ (ভি)
|
GT101Ф0.2 | সমাক্ষীয় প্রকার II, 5501, TO-46, প্লাগ টাইপ | Ф0.2 |
4-1100 |
930
| 0.63 | 4 | 0.1 | 0.8 | >200 |
GT101Ф0.5 | Ф0.5 | 5 | 0.1 | 1.2 | |||||
GT101Ф1 | Ф1.0 | 5 | 0.1 | 2.0 | |||||
GT101Ф2 | TO-5 | Ф2.0 | 7 | 0.5 | 6.0 | ||||
GT101Ф4 | T0-8 | Ф4.0 | 10 | 1.0 | 20.0 | ||||
GD3251Y | TO-8 | এফ৬.০ | 20 | 10 | 30 | ||||
GT101F8 | T0-8 | Ф8.0 | 20 | 3.0 | 70.0 | ||||
GD3252Y | T0-8 | 5.8×5.8 | 25 | 10 | 35 |