1064nm Si PIN ফটোডিওড
বৈশিষ্ট্য
- সামনের দিকে আলোকিত কাঠামো
- কম অন্ধকার স্রোত
- উচ্চ প্রতিক্রিয়া
- উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা
অ্যাপ্লিকেশন
- অপটিক্যাল ফাইবার কমিউনিকেশন, সেন্সিং এবং রেঞ্জিং
- UV থেকে NIR পর্যন্ত অপটিক্যাল সনাক্তকরণ
- দ্রুত অপটিক্যাল-পালস সনাক্তকরণ
- শিল্পের জন্য নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা
ফটোইলেকট্রিক প্যারামিটার (@Ta=25℃)
| আইটেম # | প্যাকেজ বিভাগ | আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি) | বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm) |
সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | দায়বদ্ধতা (A/W) λ=1064nm
| উঠতি সময় λ=1064nm VR=40V RL=50Ω(এনএস) | অন্ধকার স্রোত VR=40V (nA) | জংশন ক্যাপাসিট্যান্স ভিR=40V f=1MHz (pF) | ভাঙ্গন ভোল্টেজ (ভি)
|
| GT102Ф0.2 | সমাক্ষীয় প্রকার II,5501,TO-46 প্লাগ টাইপ | Ф0.2 |
4-1100 |
980
| 0.3 | 10 | 0.5 | 0.5 | 100 |
| GT102Ф0.5 | Ф0.5 | 10 | 1.0 | 0.8 | |||||
| GT102F1 | Ф1.0 | 12 | 2.0 | 2.0 | |||||
| GT102F2 | TO-5 | Ф2.0 | 12 | 3.0 | 5.0 | ||||
| GT102F4 | TO-8 | Ф4.0 | 20 | 5.0 | 12.0 | ||||
| GD3310Y | TO-8 | Ф8.0 | 30 | 15 | 50 | ||||
| GD3217Y | TO-20 | Ф10.0 | 50 | 20 | 70 |
