1064nm APD

মডেল: GD6212Y/ GD6213Y/ GD6219Y

ছোট বিবরণ:

এটি Si avalanche photodiode যা UV থেকে NIR পর্যন্ত উচ্চ সংবেদনশীলতা প্রদান করে।সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 1064nm।দায়বদ্ধতা: 1064 nm এ 36 A/W।

উদ্ধৃতি পেতে ডাউনলোড করুন

টেকনিক্যাল প্যারামিটার

পণ্য ট্যাগ

বৈশিষ্ট্য

সামনের দিকে আলোকিত সমতল চিপ
উচ্চ গতির প্রতিক্রিয়া
উচ্চ APD লাভ

অ্যাপ্লিকেশন

লেজার রেঞ্জিং
লেজার যোগাযোগ
লেজার সতর্কতা

আলোক বৈদ্যুতিক পরামিতি(@Ta=22±3℃)

আইটেম #	প্যাকেজ বিভাগ	আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি)	বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm)	ভাঙ্গন ভোল্টেজ (ভি)	দায়বদ্ধতা M=100 λ=1064nm (kV/W)	উঠতি সময় (এনএস)	ব্যান্ডউইথ (MHz)	তাপমাত্রার গুণাঙ্ক Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	শব্দ সমতুল্য শক্তি (pW/√Hz)	ঘনত্ব (μm)	অন্যান্য দেশে প্রতিস্থাপিত টাইপ
GD6212Y	TO-8	0.8	40-1100	350-500	150	৮.৮	40	2.2	0.15	≤50	C30950
GD6213Y		0.8			200	2	175	2.2	0.15		C30659-1060-R8BH
GD6219Y		3			280	7	50	2.4	0.27		C30659-1060-3A