905nm APD

মডেল: GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P GD5210Y-2-5-P/ অ্যারে

ছোট বিবরণ:

এটি Si avalanche photodiode যা UV থেকে NIR পর্যন্ত উচ্চ সংবেদনশীলতা প্রদান করে।সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 905nm।

উদ্ধৃতি পেতে ডাউনলোড করুন

টেকনিক্যাল প্যারামিটার

পণ্য ট্যাগ

বৈশিষ্ট্য

সামনের দিকে আলোকিত সমতল চিপ
উচ্চ গতির প্রতিক্রিয়া
উচ্চ APD লাভ
কম জংশন ক্যাপাসিট্যান্স
কম শব্দ
অ্যারের আকার এবং আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠ কাস্টমাইজ করা যেতে পারে।

অ্যাপ্লিকেশন

লেজার রেঞ্জিং
লেজার রাডার
লেজার সতর্কতা

ফটোইলেক্ট্রিক প্যারামিটার (@Ta=22±3℃)

আইটেম #	প্যাকেজ বিভাগ	আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি)	বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm)	সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm)	দায়বদ্ধতা λ=905nm φe=1μW M=100 (A/W)	প্রতিক্রিয়া সময় λ=905nm R_L=50Ω (এনএস)	অন্ধকার স্রোত M=100 (nA)		তাপমাত্রার গুণাঙ্ক Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	মোট ক্যাপাসিট্যান্স M=100 f=1MHz (pF)	ভাঙ্গন ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ I_R=10μA (ভি)
আইটেম #	প্যাকেজ বিভাগ	আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি)	বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm)	সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm)	দায়বদ্ধতা λ=905nm φe=1μW M=100 (A/W)	প্রতিক্রিয়া সময় λ=905nm R_L=50Ω (এনএস)	টাইপ	সর্বোচ্চ	তাপমাত্রার গুণাঙ্ক Ta=-40℃～85℃ (V/℃)	মোট ক্যাপাসিট্যান্স M=100 f=1MHz (pF)	মিন	সর্বোচ্চ
GD5210Y-2-2-TO46	TO-46	0.23	400-1100	905	55	0.6	0.2	1.0	0.9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	TO-46	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	TO-46	0.80					0.8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0.50					0.4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	প্লাস্টিকের প্যাকেজ	0.23					0.2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	প্লাস্টিকের প্যাকেজ	0.50					0.4	1.0		1.2
অ্যারে	পিসিবি	কাস্টমাইজড				আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠ অনুযায়ী	আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠ অনুযায়ী			আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠ অনুযায়ী	160	200