850nm Si PIN মডিউল
বৈশিষ্ট্য
- উচ্চ গতির প্রতিক্রিয়া
- খুব সংবেদনশীল
অ্যাপ্লিকেশন
- লেজার ফিউজ
ফটোইলেক্ট্রিক প্যারামিটার (@Ta=22±3℃)
| আইটেম # | প্যাকেজ বিভাগ | আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি) | দায়বদ্ধতা | উঠতি সময় (এনএস) | গতিশীল পরিসীমা (dB)
| অপারেটিং ভোল্টেজ (V)
| নয়েজ ভোল্টেজ (mV)
| মন্তব্য |
| λ=850nm，φe=1μW | λ=850nm | |||||||
| GD4213Y | TO-8 | 2 | 110 | 12 | 20 | ±5±0.3 | 12 | - |
| GD4251Y | 2 | 130 | 12 | 20 | ±6±0.3 | 40 | (ঘটনার কোণ: 0°, 830nm ~ 910nm ≥90% ট্রান্সমিট্যান্স | |
| GD4251Y-A | 10×1.5 | 130 | 18 | 20 | ±6±0.3 | 40 | ||
| GD42121Y | 10×0.95 | 110 | 20 | 20 | ±5±0.1 | 25 | ||
| দ্রষ্টব্য: GD4213Y এর পরীক্ষার লোড হল 50Ω，বাকীগুলি 1MΩ | ||||||||
