40μJ উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এর্বিয়াম-ডোপড গ্লাস লেজার
প্রযুক্তিগত বিবরণ
তরঙ্গদৈর্ঘ্য | 1535 এনএম |
পালস শক্তি(ন্যূনতম/টাইপ) | ≥40μJ |
পালস প্রস্থ, প্রকার। (FWHM) | 4 এনএস |
পালস পুনরাবৃত্তি হার | 1KHz |
পালস স্থায়িত্ব | 10% |
দাগের ব্যাস | 0.2 মিমি |
মরীচি অপসারণ কোণ | <15 mrad |
স্পট মোড | TEM00 |
অপারেটিং তাপমাত্রা | -45 ℃~+65 ℃ |
সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | -55 ℃~+85 ℃ |
প্রভাব | 1500 জি, 0।5 মি.সে |
কম্পন | 20~2000 Hz/20 G |
জীবনকাল | ৷50 মিলিয়ন শট |
মাত্রা (মিমি) | 25x8x7 |
ওজন | 8 গ্রাম |
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ | 2 ভি |
কারেন্ট | 5A |
নাড়ির প্রস্থ | ≥03 এমএস |