500μJ এর্বিয়াম-ডোপড গ্লাস লেজার
প্রযুক্তিগত বিবরণ
| তরঙ্গদৈর্ঘ্য | 1535 এনএম |
| পালস শক্তি (মিনিট/টাইপ।) | ≥500 μJ |
| পালস প্রস্থ, প্রকার। (FWHM) | 5 এনএস |
| পালস পুনরাবৃত্তি হার | 1~10Hz |
| পালস স্থায়িত্ব | 10% |
| দাগের ব্যাস | 0.3 মিমি |
| মরীচি অপসারণ কোণ | 10 mrad |
| স্পট মোড | TEM00 |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -45 ℃~+65 ℃ |
| সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | -55 ℃~+85 ℃ |
| প্রভাব | 1500 G, 0.5 ms |
| কম্পন | 20~2000 Hz/20 G |
| জীবনকাল | 50 মিলিয়ন শট |
| মাত্রা (মিমি) | 32x8x7 |
| ওজন | 10 গ্রাম |
| ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ | 2 ভি |
| কারেন্ট | 20 ক |
| নাড়ির প্রস্থ | ≥2.4 মি |
যান্ত্রিকডাইমেনশন(মিমি)
