905nmAPD একক টিউব সিরিজ

মডেল: GD5210Y-2-2-T046 / GD5210Y-2-5-T046 / GD5210Y-2-8-T046 / GD5210Y-2-2-LCC3 / GD5210Y-2-5-LCC3 / GD5210Y-2-2- GD5210Y-2-5-P

ছোট বিবরণ:

ডিভাইসটি হল একটি সিলিকন অ্যাভাল্যাঞ্চ ফটোডিওড, বর্ণালী প্রতিক্রিয়া দৃশ্যমান আলো থেকে কাছাকাছি-ইনফ্রারেড পর্যন্ত, এবং সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 905nm।

উদ্ধৃতি পেতে ডাউনলোড করুন

টেকনিক্যাল প্যারামিটার

বৈশিষ্ট্য

আবেদন

পণ্য ট্যাগ

আলোক বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য (＠Ta＝22±3℃)
মডেল		GD5210Y-2-2-T046	GD5210Y-2-5-T046	GD5210Y-2-8-T046	GD5210Y-2-2-LCC3	GD5210Y-2-5-LCC3	GD5210Y-2-2-P	GD5210Y-2-5-P	অ্যারে
প্যাকেজ ফর্ম		TO-46	TO-46	TO-46	LCC3	LCC3	প্লাষ্টিকের মোড়ক	প্লাষ্টিকের মোড়ক	পিসিবি
আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি)		0.23	0.50	0.80	0.23	0.50	0.23	0.50	কাস্টমাইজড
বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm)		400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100	400~1100
সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm)		905	905	905	905	905	905	905	905
প্রতিক্রিয়াশীলতা λ=905nm Φ=1μW M=100 (A/W)		55	55	55	55	55	55	55	55
ডার্ক কারেন্ট M=100(nA)	সাধারণ	0.2	0.4	0.8	0.2	0.4	0.2	0.4	আলোক সংবেদনশীলতা অনুযায়ী
ডার্ক কারেন্ট M=100(nA)	সর্বোচ্চ	1.0	1.0	2.0	1.0	1.0	1.0	1.0	এক দিক
প্রতিক্রিয়া সময় λ=905nm R1=50Ω(ns)		0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	0.6	আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠ অনুযায়ী
ওয়ার্কিং ভোল্টেজ তাপমাত্রা সহগ T=-40℃~85℃(V/℃)		0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9	0.9
মোট ক্যাপাসিট্যান্স M=100 f=1MHz(pF)		1.0	1.2	2.0	1.0	1.2	1.0	1.2	আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠ অনুযায়ী
ভাঙ্গন ভোল্টেজ IR=10μA(V)	সর্বনিম্ন	130	130	130	130	130	130	130	160
ভাঙ্গন ভোল্টেজ IR=10μA(V)	সর্বোচ্চ	220	220	220	220	220	220	220	200