800nmAPD একক টিউব সিরিজ
| আলোক বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য (＠Ta＝22±3℃) | |||||
| মডেল | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -এলসিসি৩ | |
| প্যাকেজ ফর্ম | TO-46 | TO-46 | LCC3 | LCC3 | |
| আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের ব্যাস (মিমি) | 0.23 | 0.50 | 0.23 | 0.50 | |
| বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
| সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
| λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
| অন্ধকার স্রোত | সাধারণ | 0.05 | 0.10 | 0.05 | 0.10 |
| M=100(nA) | সর্বোচ্চ | 0.2 | 0.4 | 0.2 | 0.4 |
| প্রতিক্রিয়া সময় λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
| ওয়ার্কিং ভোল্টেজ তাপমাত্রা সহগ T=-40℃~85℃(V/℃) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
| মোট ক্যাপাসিট্যান্স M=100 f=1MHz(pF) | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | |
| ব্রেকডাউন ভোল্টেজ IR=10μA(V) | সর্বনিম্ন | 80 | 80 | 80 | 80 |
| সর্বোচ্চ | 160 | 160 | 160 | 160 | |
ফ্রন্ট প্লেন চিপ স্ট্রাকচার
উচ্চ গতির প্রতিক্রিয়া
উচ্চ লাভ
কম জংশন ক্যাপাসিট্যান্স
কম শব্দ
লেজার রেঞ্জিং
লিডার
লেজার সতর্কতা
