100~300μJ Erbium-ডোপড গ্লাস লেজার
প্রযুক্তিগত বিবরণ
তরঙ্গদৈর্ঘ্য | 1535 এনএম | 1535 এনএম | 1535 এনএম |
পালস শক্তি(ন্যূনতম/টাইপ) | ≥100μJ | ≥200 μJ | ≥300 μJ |
পালস প্রস্থ, প্রকার। (FWHM) | 35 এনএস | 3.5 এনএস | 3.5 এনএস |
পালস পুনরাবৃত্তি হার | 1~20 Hz | 1~10 Hz | 1~20 Hz |
পালস স্থায়িত্ব | 10% | 10% | 10% |
দাগের ব্যাস | 0.2 মিমি | 0.2 মিমি | 0.2 মিমি |
মরীচি অপসারণ কোণ | 10 mrad | 10 mrad | 10 mrad |
স্পট মোড | TEM00 | TEM00 | TEM00 |
অপারেটিং তাপমাত্রা | -45 ℃~+65 ℃ | -45 ℃~+65 ℃ | -45 ℃~+65 ℃ |
সংগ্রহস্থল তাপমাত্রা | -55 ℃~+85 ℃ | -55 ℃~+85 ℃ | -55 ℃~+85 ℃ |
প্রভাব | 1500 G, 0.5 ms | 1500 G, 0.5 ms | 1500 G, 0.5 ms |
কম্পন | 20~2000 Hz/20 G | 20~2000 Hz/20 G | 20~2000 Hz/20 G |
জীবনকাল | ৷50 মিলিয়ন শট | ৷50 মিলিয়ন শট | ৷50 মিলিয়ন শট |
মাত্রা (মিমি) | 25x8x7 | 25x8x7 | 25x8x7 |
ওজন | 8 গ্রাম | 8 গ্রাম | 8g |
ভোল্টেজ, বৈদ্যুতিক একক বিশেষ | 2 ভি | 2 ভি | 2 ভি |
কারেন্ট | 6 ক | 12 ক | 12 ক |
নাড়ির প্রস্থ | ≥2 মি.সে | ≥1.8 ms | ≥2.5 ms |
যান্ত্রিক অঙ্কন (মিমি মধ্যে)