ফোর-চতুর্থ পিন একক টিউব সিরিজ
| আলোক বৈদ্যুতিক বৈশিষ্ট্য (পিTa＝22±3℃) | |||||||||
| মডেল | GT111 | GT112 | GD3250Y | GD3249Y | GD3244Y | GD3245Y | GD32413Y | GD32414Y | GD32415Y |
| প্যাকেজ ফর্ম | TO-8 | TO-8 | TO-8 | TO-20 | TO-31-7 | TO-31-7 | MBCY026-P6 | TO-8 | MBCY026-W7W |
| আলোক সংবেদনশীল পৃষ্ঠের আকার (মিমি) | Φ4 | Φ6 | Φ8 | Φ10 | Φ10 | Φ16 | Φ14 | Φ5.3 | Φ11.3 |
| বর্ণালী প্রতিক্রিয়া পরিসীমা (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1150 | 400~1150 |
| সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য (nm) | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 | 980 |
| প্রতিক্রিয়াশীলতা λ=1064nm(A/W) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.5 | 0.5 |
| অন্ধকার বর্তমান (nA) | 5(ভিR=40V) | 7(ভিR=40V) | 10(ভিR=40V) | 15(ভিR=40V) | 20(ভিR=135V) | 50(VR=135V) | 40(VR=135V) | 4.8(VR=140V) | ≤20(VR=180V) |
| উত্থানের সময় = 1064nm RL = 50Ω (ns) | 15(ভিR=40V) | 20(ভিR=40V) | 25(ভিR=40V) | 30(VR=40V) | 20(ভিR=135V) | 30(VR=135V) | 25(ভিR=135V) | 15(ভিR=140V) | 20(ভিR=180V) |
| জংশন ক্যাপাসিট্যান্স f=1MHz(pF) | 5(ভিR=10V) | 7(ভিR=10V) | 10(ভিR=10V) | 15(ভিR=10V) | 10(ভিR=135V) | 10(ভিR=135V) | 16(ভিR=135V) | 4.2(VR=140V) | 10(ভিR=180V) |
| ব্রেকডাউন ভোল্টেজ (V) | 100 | 100 | 100 | 100 | 300 | 300 | 300 | ≥300 | ≥250 |
কম অন্ধকার স্রোত
উচ্চ প্রতিক্রিয়াশীলতা
ভাল চতুর্ভুজ ধারাবাহিকতা
ছোট অন্ধ স্পট
লেজার লক্ষ্য, নির্দেশিকা ট্র্যাকিং এবং অনুসন্ধান ডিভাইস
লেজার মাইক্রো-পজিশনিং, স্থানচ্যুতি পর্যবেক্ষণ এবং অন্যান্য নির্ভুল পরিমাপ সিস্টেম
কম অন্ধকার স্রোত
উচ্চ প্রতিক্রিয়াশীলতা
ভাল চতুর্ভুজ ধারাবাহিকতা
ছোট অন্ধ স্পট
লেজার লক্ষ্য, নির্দেশিকা ট্র্যাকিং এবং অনুসন্ধান ডিভাইস
লেজার মাইক্রো-পজিশনিং, স্থানচ্যুতি পর্যবেক্ষণ এবং অন্যান্য নির্ভুল পরিমাপ সিস্টেম
