এটি Si PIN ফটোডিওডের চারটি একই ইউনিট নিয়ে গঠিত যা বিপরীতে কাজ করে এবং UV থেকে NIR পর্যন্ত উচ্চ সংবেদনশীলতা প্রদান করে।সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 980nm।দায়বদ্ধতা: 1064 nm এ 0.5 A/W।
এটি প্রাক-বিবর্ধন সার্কিট সহ Si PIN ফটোডিওডের একক বা দ্বিগুণ চারটি ইউনিট নিয়ে গঠিত যা দুর্বল বর্তমান সংকেতকে প্রশস্ত করতে এবং ফোটন-ফটোইলেকট্রিক-সংকেত পরিবর্ধনের রূপান্তর প্রক্রিয়া অর্জনের জন্য ভোল্টেজ সংকেতে রূপান্তরিত করতে সক্ষম করে।
এটি বর্ধিত UV সহ Si PIN ফটোডিওড, যা বিপরীতে কাজ করে এবং UV থেকে NIR পর্যন্ত উচ্চ সংবেদনশীলতা প্রদান করে।সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 800nm।দায়বদ্ধতা: 0.15 A/W এ 340 nm।
+86-28-81076568
+86-28-87897578
sales@erbiumtechnology.com