ডিভাইসটি একটি সিলিকন অ্যাভাল্যাঞ্চ ফটোডিওড, বর্ণালী প্রতিক্রিয়া দৃশ্যমান আলো থেকে কাছাকাছি-ইনফ্রারেড পর্যন্ত, সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 980nm, এবং 1064nm এ প্রতিক্রিয়া 36A/W এ পৌঁছাতে পারে।
ডিভাইসটি হল একটি 1064nm বর্ধিত সিলিকন অ্যাভাল্যাঞ্চ ফটোডিওড মডিউল যা একটি অন্তর্নির্মিত প্রিমপ্লিফায়ার সার্কিট, যা দুর্বল বর্তমান সংকেতগুলিকে প্রশস্ত করতে পারে এবং "অপটিক্যাল-ইলেক্ট্রিক্যাল-সিগন্যাল অ্যামপ্লিফিকেশন" এর রূপান্তর প্রক্রিয়াকে উপলব্ধি করে ভোল্টেজ সিগন্যাল আউটপুটে রূপান্তর করতে পারে।
ডিভাইসটি একটি InGaAs avalanche photodiode মডিউল যা একটি অন্তর্নির্মিত প্রিমপ্লিফায়ার সার্কিট সহ, যা দুর্বলকে রূপান্তর করতে পারে।বর্তমান সংকেত প্রসারিত হওয়ার পরে, এটি "অপটিক্যাল-ইলেক্ট্রিক্যাল-সিগন্যাল পরিবর্ধন" রূপান্তর প্রক্রিয়া উপলব্ধি করতে একটি ভোল্টেজ সিগন্যাল আউটপুটে রূপান্তরিত হয়।
ডিভাইসটি হল একটি সিলিকন অ্যাভালাঞ্চ ফটোডিওড যার চারটি অভিন্ন ইউনিট রয়েছে, বর্ণালী প্রতিক্রিয়া দৃশ্যমান আলো থেকে কাছাকাছি-ইনফ্রারেড পর্যন্ত, সর্বোচ্চ প্রতিক্রিয়া তরঙ্গদৈর্ঘ্য 980nm, এবং 1064nm এ প্রতিক্রিয়া 40A/W এ পৌঁছাতে পারে।
ডিভাইসটি হল একটি সিলিকন অ্যাভাল্যাঞ্চ ফটোডিওড মডিউল যার চারটি অভিন্ন ইউনিট রয়েছে, একটি বিল্ট-ইন প্রিমপ্লিফায়ার সার্কিট সহ, যা দুর্বল কারেন্ট সিগন্যালকে প্রসারিত করতে পারে এবং "অপটিক্যাল-ইলেক্ট্রিক্যাল-সিগন্যাল অ্যামপ্লিফিকেশন" রূপান্তর প্রক্রিয়াটি উপলব্ধি করে এটিকে একটি ভোল্টেজ সিগন্যাল আউটপুটে রূপান্তর করতে পারে।
+86-28-81076568
+86-28-87897578
sales@erditechs.com